胡一亭知道大家的困惑，继续道“其实方法是有的，我今天要介绍的就是我思考出的一种突破闪存容量上限的新技术。”
胡一亭切换t图片，“目前国际上有些专家也对此阐述过一些技术，我总结下来有三种，一种是质子非挥发性存储器；第二种是纳米存储器；第三种是单电子存储器。
我想说的是，这些都不靠谱，至少三十年内看不到商业应用的前景，因为无论从材料学还是从工程学角度，这些目前都是科幻里才能实现的技术，实验室里进行少量晶体管质子存储实验，或者用一两个碳纳米管验证可存储性能，或者用精密仪器实现单电子操纵，这都可以，但一到工程上就行不通了，大面积的工程应用做不出来就等于白说，现在谁都不知道要用怎样的设备和工艺去进行大规模制造，所以我们不要去考虑这些概念。”
胡一亭继续切换t，“目前我们能做的只有继续在shory技术上进行发展，继续依靠半导体器件的电荷俘获原理，通过改进传统的浮栅结构，发展与普通逻辑工艺相兼容的新技术。
我个人这次发明的这种新技术，我称之为utievece，简称c，而传统shory闪存工艺我称之为sgeevece，简称sc。
顾名思义，这两者区别在于传统sc是单层式存储，而我发明的c技术是多层式存储。”
胡一亭说完，整个会议室骚动起来，大家的兴趣完全被他调动起来。
赵赫激动道“胡总，这个多层存储究竟是怎么回事是不是把两个芯片叠在一起做封装这要怎么搞”
胡一亭笑道“别急别急，我这就说，但不是你想的那样，o叠层封装工艺并不能降低闪存成本，两片颗粒叠加封装只能增加单芯片容量而已，价格也只会更加昂贵，和我说的c构造是两码事。”
说着胡一亭切了一张自制的t，开始对着自己昨晚鬼画符般做出的简图介绍起c构造的特点来。
“大家看啊，这个多晶硅栅下面是三层绝缘薄膜，这三层薄膜分别是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层，其中氮化硅具有极高的电子陷阱密度，可以捕获电子，达到存储电荷的目的，带电就是1，不带电就是0，这是常识了。
我们都知道半导体中有两种载流子，一种是电子，一种是空穴，我们在对单元进行写入操作时，采用热电子注入法，将热电子注入沟道边缘的氮化硅，这样就完成了写入过程。在作擦除时，利用价带间的空穴，将空穴注入沟道边缘的氮化硅，消除电荷，就完成了擦除。
接下来我说关键点，大家看图，由于氮化硅的绝缘性，热电子效应产生的电子只能被注入并限制在沟道边缘，这样一来，两侧沟道一旦全部带电就是11，全部不带电就是00，可我们一旦把两侧沟道其中一侧进行单独擦除，就会出现四种情况，一种是01，一种是10，于是我们就在不进行复杂工艺改变的前提下，让现有的shory容量增加了一倍”
胡一亭对着图片解释完之后，会议室里一片哗然，科学家工程师们先是面面相觑，随即手足无措，接着便开始坐立不安，最后全都开始叫好称赞起来，甚至有人开始鼓掌。
其中赵赫更是欢喜的抓耳挠腮，他已经被胡一亭勾引的失去了理智，急忙道“胡总你太神了，你这是怎么想出来的这可是专利啊是重光的专利啊我们得赶紧实验赶紧写论文申请专利”
曹玉暖也欢喜的鼓起了掌“胡一亭你的设想太完美了我觉得可行真的可行这个路子怎么以前就没人想到呢你真是天才我就知道你是最棒的”
胡一亭看着大家的兴奋劲，心想这哪是我想出来的啊，这是以色列saifun公司搞出来的nosfash技术，被英特尔在97年9月正式公布并申请专利，同时应用到他们的闪存产品中的设计，自己不过是拾人牙慧罢了。而且今后自己还将拿出另一种多电压控制栅极多层注入电荷技术的c产品，彻底统治c闪存专利市场，直到把闪存技术推向tc和3dnand制程
这时奚龙山突然开口问道“胡总，我有个问题，你这么一搞，的确让一个存储单位可以承载四个信息，比以前翻了一倍，可接下来怎么读取呢”
胡一亭笑了起来“这四种情况的电压是不同的呀，我们只要设计出一套解码电路，用于读取并解析数据就行，根据我的初步设计，可以把05v25v设定为11，25v4v设定为10，4v55v设定为01，55v到6v设定为00，具体的解码电路设计我已经有了腹稿，这款芯片的初步设计我已经胸有成竹，上周我已经把sc芯片设计改良完成，本周我就把这款c的芯片设计拿出来，下周就能进行制程工艺流程的设计，最晚月底，我们就对这款c进行第一次工程流片”
说完胡一亭意气风发，高高举起右手指着天花板“我告诉大家重光将成为世界上第一家采用c技术的闪存设计企业重光的专利将永载史册而这项专利必将让我们得以摆脱目前所受的英特尔和东芝的闪存专利束缚，抵消我们需缴纳给国际闪存技术联盟的专利费并很有可能反过来赚他们的钱”
奚龙山惊讶的合不拢嘴，上唇哆嗦着，轻声感慨道“胡总真神人也”请牢记收藏,网址 最新最快无防盗免费阅读